碳化硅衬底材料-碳化硅工艺设备-思莱克工业科技

碳化硅衬底工艺材料

碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的第三代宽禁带半导体材料，在高温、高压、高频率等极端环境下性能表现优异，其中碳化硅单晶是制造高性能半导体器件的核心材料。

碳化硅单晶在不同制备阶段可分为碳化硅籽晶、碳化硅晶锭、碳化硅衬底。籽晶是生产晶锭的关键耗材，晶锭是衬底的原材料，衬底是半导体器件制造的终端材料。

碳化硅磨粉机、破碎机是专门用于将碳化硅原料加工成所需细度粉末的关键设备。高纯硅粉（纯度 99.9999%）是晶体生长的原料，其粒度、纯度直接影响晶体质量。

雷蒙磨粉机：是碳化硅原料加工中不可或缺的预处理设备，通过高效、可控的研磨为后续晶体生长或烧结提供合格原料，其应用需结合纯度、细度和产能需求。

超细磨粉机：主要用于碳化硅原料的精细研磨，适合对粒度分布、纯度及能耗有平衡需求的场景。如高温烧结法制备碳化硅器件时，需更细的粉末（325~800目）。

立式磨粉机：主要用于碳化硅原料的中、高细度粉碎与均化，适用于中、大规模碳化硅粉末制备，尤其是高纯度、高产能、的生产需求。

碳化硅破碎机：主要应用于碳化硅结晶块的粗碎与中碎阶段，是将大块碳化硅原料破碎至符合后续加工要求的粒度，为晶体生长、切割、研磨抛光等环节提供基础材料。

SiC材料的硬度和化学稳定性，其制造工艺比传统硅（Si）更复杂，碳化硅晶体通常采用气相传输法（PVT）晶体生长，单晶硅一般采用直拉法（CZ）晶体生长。

晶体生长炉（长晶炉）：既可用于碳化硅（SiC）单晶生长，也可用于单晶硅（Si）生长，但两者的生长工艺、设备设计和技术难度存在显著差异。

感应加热电源：晶体生长高精度感应加热设备，为长晶炉提供稳定的高温热能。

闭式冷去塔：高温工艺等设备需要大量水资源，可为长晶炉、切割机等设备提供降温冷却水循环，减少用水量。

风冷式冷水机（风冷冰机）：通过空气冷却方式（无需冷却塔）为设备提供循环水降温，节约水资源，适合干旱地区或水质差的区域。

在碳化硅晶圆衬底制造过程中的切割、清洗环节至关重要。

晶圆表面清洗剂：能有效去除颗粒、有机物、金属杂质等污染物，同时避免对晶圆表面造成损伤。

晶圆切割润滑剂（冷却液）：在切割过程中使用可降低切割区域温度，避免高温导致晶圆破裂或材料变性。

液体分配系统：精确控制润滑剂，使工艺仅在晶圆切割时才会分配润滑液。

皮秒精密激光切割机：用于实现碳化硅晶圆的高精度、低损伤切割，适用于复杂形状和超薄晶圆。