思莱克碳化硅半导体新闻
当前位置:首页 >> 新闻资讯


关注思莱克工业科技,了解最新的碳化硅半导体行业信息


6英寸碳化硅衬底

2026-09-28

6英寸碳化硅衬底

6英寸碳化硅衬底作为宽禁带半导体产业的基石,正处于技术快速成熟与规模爆发的关键阶段。随着新能源革命的持续深化,其技术进步与产业升级将为电力电子系统带来根本性变革,成为支撑能源转型与高端制造的核心材料基础。



8英寸碳化硅衬底

2026-09-20

8英寸碳化硅衬底

第三代半导体产业正在从 6 英寸碳化硅衬底,全面向8 英寸(200mm)碳化硅衬底迭代。作为碳化硅功率器件、射频器件的底层单晶基材,8 英寸 SiC 衬底直接决定外延片质量、芯片良率与器件长期可靠性,是新能源车 800V 高压平台、光伏储能逆变器、AI 数据中心高压电源、5G 射频设备产业化降本的核心瓶颈材料



黑碳化硅与绿碳化硅的区别

2026-09-14

黑碳化硅与绿碳化硅的区别

黑碳化硅与绿碳化硅是工业碳化硅体系中互补共生的两大核心品类,并非简单的高低端替代关系,而是精准适配不同工况的差异化材料。其中,黑碳化硅主打通用工业、重载耐磨、高性价比场景,是传统工业生产、基础耗材配套、产业升级的核心支撑材料;绿碳化硅主打高端精密、高洁净、超精加工场景,是半导体、光电产业、精密制造迭代升级的刚需核心材料。



碳化硅半导体是什么?

2026-08-31

碳化硅半导体是什么?

碳化硅半导体是新一代宽禁带功率半导体核心材料,凭借远超传统硅半导体的耐压、耐高温、低能耗、高频性能,解决了传统电力电子设备的核心痛点。作为新能源汽车、光伏储能、高端工控等产业的核心基石,碳化硅半导体不仅是第三代半导体的核心赛道,更是未来高端制造、新能源产业升级的核心驱动力,国产化、普及化发展大势已成。



碳化硅晶圆与硅晶圆有什么区别?

2026-08-24

碳化硅晶圆与硅晶圆有什么区别?

在半导体产业中,晶圆是芯片制造的核心基底,直接决定半导体器件的性能、功耗、耐压与使用寿命。目前市面上主流晶圆分为硅(Si)晶圆与碳化硅(SiC)晶圆两大类,其中硅晶圆是传统半导体的主流基底,占据全球晶圆市场绝大部分份额,而碳化硅晶圆作为第三代宽禁带半导体核心材料,是高压、高频、高温功率器件的核心载体。



氮化镓衬底是什么?

2026-08-17

氮化镓衬底是什么?

作为氮化镓器件的核心载体,氮化镓衬底的性能直接决定了第三代半导体设备的核心竞争力。相较于传统硅、蓝宝石衬底,其在高频、高压、高温、低损耗等维度的优势无可替代,覆盖通信、新能源、消费电子、军工航天、工业控制等核心领域。



碳化硅有哪些应用

2026-08-10

碳化硅有哪些应用

碳化硅已从传统磨料、冶金领域,全面渗透新能源汽车、光伏储能、5G通信、航空航天、高端工业制造等核心赛道,成为高端智能制造、新能源产业升级的关键基础材料。本文全面拆解碳化硅的主流应用场景、核心优势及行业价值,清晰解答碳化硅有哪些应用、各领域用途及落地场景。



什么是高比表面积氢氧化钙生产线

2026-04-22

什么是高比表面积氢氧化钙生产线

高比表面积氢氧化钙生产线是通过精确控制消化反应,将普通生石灰转化为具有多孔“海绵”结构、高脱硫效率的高附加值环保材料,并实现规模化、自动化生产的工业系统。



什么是蓝宝石衬底

2026-02-24

什么是蓝宝石衬底

蓝宝石衬底以单晶氧化铝为主要成分,经特定工艺制备,具备优越的光、机、化、电性能,广泛应用于照明、显示等多领域,与碳化硅衬底在应用侧重、导电导热性及成本上存在明显差异。



什么是碳化硅单晶

2026-02-07

什么是碳化硅单晶

碳化硅(SiC)单晶,作为第三代半导体的核心材料,正以其革命性的性能推动着能源、交通、通信等关键领域的转型升级。其发展根植于半导体产业的演进历程。



什么是碳化硅晶片

2026-02-02

什么是碳化硅晶片

碳化硅晶片是一种以碳化硅单晶制成的、具有宽禁带、高击穿场强、高导热和高频特性,主要通过物理气相传输等复杂工艺制备,广泛应用于新能源汽车和能源电力等高性能领域,但成本高于传统硅的第三代半导体关键基础材料。



12英寸碳化硅衬底有什么优势

2026-01-19

12英寸碳化硅衬底有什么优势

12英寸碳化硅衬底是推动半导体产业升级的关键,它通过提升生产效率、显著降低芯片成本、优化器件性能,正在加速新能源汽车、光伏储能及工业能源等领域的变革与普及。





企业产品
网站首页 电话咨询 解决方案