1891 年,美国人艾奇逊电熔金刚石实验时意外发现碳化硅,误命名为“金刚砂”,两年后他研究出工业冶炼法——艾奇逊炉,早期碳化硅因高硬度在磨料领域崭露头角。20 世纪初,其电子领域潜力被挖掘,1907 年首个 LED 在其晶体上诞生。二战期间用于雷达,之后氧化铝与碳化硅复合材料成商品,用于天文望远镜等。21 世纪,2008 年首个商品化碳化硅电子元件 JFET 问世,同年特斯拉推首款双座电动车,2018 年特斯拉 Model 3 首次应用碳化硅,此后碳化硅在多领域广泛应用。
碳化硅莫氏硬度达 9.5 级,仅次于金刚石。砂纸、砂轮、石材加工磨具等凭借其高硬度提高加工效率与精度,耐高温,分解温度约 2700°C,抗热震性强。钢铁冶炼高炉的耐火砖、陶瓷烧制窑炉的窑具、航空航天发动机高温部件等应用广泛。
宽禁带
禁带宽度约 3.26eV,是硅材料近 3 倍。高压输电领域,10kV 系统使用碳化硅功率器件的逆变器,能量转换效率提高 5% - 10%。
高击穿场强
是硅材料 8 - 10 倍,手机快充充电头使用后体积缩小,电动汽车电机驱动系统应用可增加续航里程 5% - 10%。
高热导率
热导率约 4.9W/(m・K),是硅材料 3 倍多。5G 基站射频功率放大器、航空航天电子设备等散热问题得以解决。
碳化硅材料在半导体行业的应用主要是碳化硅衬底,由碳和硅组成的化合物半导体单晶材料,制备过程复杂。先合成高纯度碳化硅粉原料,再用物理气相传输法(PVT)或高温化学气相沉积法(HTCVD)进行晶体生长,之后对晶锭加工,经多道工序检测后形成可供使用的碳化硅晶片,为外延生长和器件制造提供基础。
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