思莱克工业科技参展第22届国家碳化硅会议

近日，第22届国际碳化硅会议在召开，思莱克工业科技的众多碳化硅行业优选企业、专家学者参会。

在半导体领域，碳化硅衬底性能优异，是未来科技关键材料，8英寸碳化硅衬底研发与量产是重要里程碑。但高质量生产难度大，需在2000℃以上高温精确控参，且尺寸增大使晶体内部应力复杂、缺陷密度易增，TSD和BPD缺陷控制难度大，降低二者密度是提升性能关键。

思莱克工业科技展示的最新研发的8英寸低电阻（8mΩ・cm）碳化硅衬底，实现零TSD缺陷，BPD密度仅53个/cm²。这得益于其自主创新工艺，突破多项关键技术难点，形成自主知识产权工艺体系，为量产应用奠基。

该创新技术指标国际领先，为碳化硅衬底应用拓展空间，低电阻、低缺陷特性对新能源汽车等多个领域吸引力大。思莱克相技术人员表示将加大研发投入，优化工艺，提高质量。此次突破为自身和行业发展注入新活力，8英寸碳化硅衬底大规模量产和应用将带来新变革。

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