思莱克工业科技8英寸低阻碳化硅衬底来袭

TSD（Threading Screw Dislocation，螺位错）缺陷和 BPD（Basal Plane Dislocation，基平面位错）一直是影响碳化硅衬底性能的关键因素。思莱克此次推出的 8 英寸低电阻碳化硅衬底，拥有零 TSD 缺陷和极低的 BPD 密度（53 个 /cm2）的卓越晶质 ，使得这款碳化硅衬底在性能上远超同类产品。

8 英寸低电阻碳化硅衬底的特点

低阻高效
8英寸低电阻碳化硅衬底电阻仅8mΩ・cm。新能源汽车中用于车载逆变器，大幅降损、提升续航。光伏发电里用于光伏逆变器，降损提效，高温性能优，提升系统可靠性。

卓越晶质
该衬底晶质佳，零TSD缺陷、BPD密度极低。航空航天等领域可保设备极端环境稳定运行。电力电子领域能降反向漏电流、提开关速度效率，助力智能电网，延长器件寿命、降维护成本。

8 英寸低电阻碳化硅衬底的优势

8英寸低阻碳化硅衬底具有导通损耗出色、温度可靠、开关响应成本实惠等优势。

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