思莱克工业科技低阻碳化硅衬底2.0

碳化硅衬底作为第三代半导体材料，有着高禁带宽度、高热高率等优越特性，在众多领域不可替代。思莱克推出的低阻碳化硅衬底 2.0 实现重大突破。

思莱克低阻碳化硅衬底，电阻率低至8mΩ·cm，远优于行业主流水平，为电流传输提供了近乎无损的通路。同时，低阻碳化硅衬底实现了“零TSD缺陷”与极低的BPD密度（53个/cm²），从晶体结构层面确保了材料的高完整性与内在质量，为后续芯片制造奠定了可靠基础。

思莱克低阻碳化硅衬底，可大幅降低功率器件的导通与开关损耗，直接提升新能源汽车等系统的能效与续航里程，并减少发热以增强系统可靠性。此外，超低的缺陷密度有效保障了器件的长期工作稳定性与使用寿命，能够满足航空航天、轨道交通等高端领域对器件坚固性与寿命的严苛要求。

未来，低阻碳化硅衬底有望发挥更大作用，期待更多企业创新推动行业发展。

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