碳化硅籽晶衬底是制备碳化硅单晶的关键材料，用于PVT法生长单晶的模板，未抛光，可复用。具有高硬度（莫氏硬度约9.5）、高熔点（约2700℃）、宽带隙（2.3-3.3 eV），在高温、强酸/强碱环境下化学性质稳定等特性。
原子级平整表面 （Ra＜0.5nm） | 晶型高度可控 （4H/6H-SiC为主） | 大尺寸化 （6/8英寸） |
减少外延生长缺陷，提升器件良率。 | 单一晶型（如4H-SiC）确保电子迁移率最优，降低导通损耗。 | 6/8英寸量产，单位面积芯片成本降低30%以上。 |
在单晶生长过程中，籽晶是实现高质量晶体生长的关键因素。引导气相中的 Si 和 C 原子按照预设方向逐层堆积，确保晶体沿单一晶向生长，从而控制晶体缺陷的产生。在物理气相传输（PVT）法生长碳化硅单晶时，将籽晶置于高温石墨坩埚顶部，底部的碳化硅粉料升华后，气态原子在温度梯度作用下向籽晶表面移动，在籽晶的引导下有序结晶，逐渐生长出碳化硅单晶，这一过程中碳化硅籽晶衬底的质量，决定了最终晶体的质量与性能。
| 8英寸N型碳化硅籽晶衬底-产品规格 | ||||||
| 属性 | 规格 | 单位 | ||||
| A | B | C | ||||
| 直径 | 200±0.5 | mm | ||||
| 厚度 | 500(-50,100) | μm | ||||
| 弯曲度 | ≤60 | ≤70 | ≤80 | μm | ||
| 总厚度偏差 | ≤6 | ≤12 | ≤15 | μm | ||
| 位错密度-TSD | ≤250 | ≤350 | 无要求 | /cm2 | ||
| 位错密度-TED | ≤5500 | ≤6500 | 无要求 | /cm2 | ||
| 电阻率 | 0.010-0.030 | Ω .cm | ||||
| 表面粗糙度(C) | <0.2 | nm | ||||
| 微管密度 | ≤0.15 | ≤0.2 | ≤0.5 | /cm2 | ||
| 高强度光检测六边形 | 无 | |||||
| 高强度光照多型性 | 无 | |||||
| 高强度光多晶区域 | 无 | |||||
| 荧光灯检测的边缘缺口 | 无 | |||||
| 6英寸N型碳化硅籽晶衬底-产品规格 | ||||||
| 属性 | 规格 | 单位 | ||||
| A | B | C | ||||
| 直径 | 152.2+0.25/153±0.25 | mm | ||||
| 厚度 | 500(-50,100) | μm | ||||
| 弯曲度 | ≤55 | ≤65 | ≤80 | μm | ||
| 总厚度偏差 | ≤4 | ≤6 | ≤8 | μm | ||
| 位错密度-TSD | ≤250 | ≤350 | 无要求 | /cm2 | ||
| 位错密度-TED | ≤5500 | ≤6500 | 无要求 | /cm2 | ||
| 电阻率 | 0.010-0.030 | Ω .cm | ||||
| 表面粗糙度(C) | <0.2 | nm | ||||
| 微管密度 | ≤0.15 | ≤0.2 | ≤0.5 | /cm2 | ||
| 高强度光检测六边形 | 无 | |||||
| 高强度光照多型性 | 无 | |||||
| 高强度光多晶区域 | 无 | |||||
| 荧光灯检测的边缘缺口 | 无 | |||||
| 高强度光检测的裂缝 | 无 | |||||
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