碳化硅粉末

阅读量：123

思莱克碳化硅粉末采用高纯原料（纯度>99.999%，5N级以上）精制而成，专为碳化硅衬底制备设计。通过机械粉碎法与化学气相沉积（CVD）工艺严格把控。适用于光伏新能源、半导体器件等领域。

信息介绍特点优势工艺应用案例展示技术参数

碳化硅粉末的信息介绍

碳化硅由硅（Si）与碳（C）以 1:1 原子比结合。晶体结构分 α-SiC（六方晶系，高温稳定相）和 β-SiC（立方晶系，纳米级粒径）。其硬度达莫氏 9.2 - 9.5，仅次于金刚石，用于制备碳化硅衬底时，纯度＞99.999%（5N级纯度以上）。

热特性

电学性能

热导率 120 - 270 W/m・K，高温下稳定，

热膨胀系数约 4.3×10⁻⁶/℃，抗热震性能出色

耐压能力高，击穿电场达 3×10⁶ V/cm，

耐高温，温度可超 300℃

工业级碳化硅粉末（纯度：90%~99%）	高纯碳化硅粉末（纯度：99%~99.9%）	电子级碳化硅粉末（纯度：＞99.99%）	纳米级高纯碳化硅粉末（纯度：＞99.9%）
成本低，工艺简单，杂质高，不适电子光学。	常酸洗提纯。	成本高，需控晶体结构等参数。	粒径＜100 nm。
加工硬质材料，纯度 90%~98%，控杂质防污染。	制高性能陶瓷，用于化工等，纯度≥99.5%，防杂质降性能。	制备碳化硅衬底，用于半导体器件，纯度＞99.999%（5N级纯度以上），控金属杂质。	降烧结温，提致密度。
用于耐火材料，纯度≥95%，耐高温氧化腐蚀。	作核燃料包壳等，耐辐射高温，纯度≥99.9%，控中子吸收杂质。	用于新能源等宽禁带半导体器件，位错等与纯度相关。	无毒性杂质，用于药物载体等。
用于耐磨涂层与复合材料，纯度≥95%，防杂质影响结合。	用于催化剂载体，需高比表面积和稳定性，纯度≥99%，防毒化。	用于紫外等光学器件，需高透过率，纯度＞99.995%，防光散射吸收。	用于荧光材料调控发光性能，用于显示技术。

机械粉碎法

硅粉和碳粉在球磨罐中通过研磨球撞击、碾压和混合，实现固态反应生成亚微米级碳化硅粉末，作为复合材料增强相提升能。

阿奇逊法

在高温电阻炉中，石英砂与石油焦 2000 - 2500℃反应生成碳化硅。产能占全球约 80%，用于耐火材料、磨料领域。

化学气相沉积法

化学气相沉积法，硅烷和甲烷在 1500℃左右反应生成纳米级碳化硅颗粒，纯度达 99.99% 以上，用于电子级高纯粉料制备。

溶胶 - 凝胶法

硅溶胶与酚醛树脂形成溶胶，经凝胶化、干燥、碳热还原得到纳米级碳化硅粉体，粒径 50 nm - 1μm 可调，形貌可控。用于高端陶瓷轴承、耐磨涂层领域。

碳还原法

硅粉和碳粉混合，局部点火引发自蔓延反应，10 分钟左右完成合成，效率提升 3 倍，成本低，适用于规模化生产。

碳化硅粉末,碳化硅粉体,碳化硅粉料.webp