碳化硅晶锭

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思莱克碳化硅晶锭是高性能半导体的关键材料，具有高禁带宽度、强击穿电场、高热导率、化学稳定等特性，其工艺采用PVT法在2000℃以上高温使碳化硅粉料升华，在籽晶上生长单晶，碳化硅晶棒再经X射线定向、金刚石切割、研磨等加工成晶圆切片。

信息介绍特点优势工艺应用案例展示技术参数

碳化硅晶锭的信息介绍

碳化硅晶锭是制造碳化硅半导体器件的核心基础材料，广泛应用于高压功率器件、5G射频、航空航天等领域。具有高禁带宽度、强击穿电场、高热导率、化学性质稳定等特性。主流的碳化硅晶锭生长技术采用物理气相传输法（PVT，又称升华法）。

高禁带宽度	击穿电场强	导热性能好	化学稳定性
禁带宽度高达 3.2eV，耐压能力强，可应对 10kV 以上电压。	击穿电场强度 2.2MV/cm，功率器件尺寸缩减 70%，降低成本，提升功率密度。	热导率 490W/(m・K)，是硅材料的 3 倍，能迅速导出热量，保持器件低温运行。	耐酸碱腐蚀，抗中子辐射，在航空航天、核能等领域表现卓越。

晶锭生长

在 2000℃以上高温，高纯度硅粉与碳粉升华形成气相分子，通过控制温度梯度和压力，在籽晶表面缓慢生产单晶。

晶锭加工

使用X射线衍射确定晶向，标记碳化硅晶锭的切割方位。切除碳化硅晶锭两端（存在多晶或高缺陷区域）。金刚石砂轮将碳化硅晶锭外圆磨削至标准直径。

晶锭切割

用金刚石线锯或内圆切割机，沿着特定的晶向高速切割，将碳化硅晶锭切割成薄片，由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料，因此切割过程耗时久，易高温导致裂片。