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碳化硅衬底与碳化硅外延片解析

碳化硅衬底为器件提供支撑并作为外延模板，但其本身存在晶体缺陷且电学参数不可调，无法满足高性能器件需求。而碳化硅外延片能够修复衬底缺陷、实现掺杂和厚度的灵活调控，是制造高性能碳化硅器件的必备环节。

8英寸碳化硅衬底与6英寸碳化硅衬底对比分析

目前6英寸碳化硅衬底是市场主流，技术成熟、产业链完善。8英寸碳化硅衬底面临晶体质量控制等挑战，初期成本高。但部分企业通过技术优化实现量产逐步替代 6 英寸成为主导，如超芯星、思莱克工业科技等。

什么是晶体生长炉

晶体生长炉是集成多领域先进技术、通过精密控制物理化学条件来人工合成高质量单晶的关键设备，广泛应用于微电子、光电子、医疗、光学及珠宝等领域。

什么是碳化硅晶体生长

碳化硅晶体的主流生长方法是物理气相传输法，其过程与晶体质量受温度、压力、速度、原料纯度及籽晶质量等多因素共同制约，晶体生长炉是PVT法生长碳化硅晶体的核心设备。

什么是碳化硅-SiC

碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料，具有高硬度、高热导率、高禁带宽度及高击穿电场强度等特性，广泛应用于光伏新能源、5G通信、智能电网等领域，制备工艺复杂，却能显著提升高温、高压、高频等场景下半导体器件的性能与功效。