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国内碳化硅衬底供应商介绍

国内碳化硅衬底产业已形成以山东天岳、天科合达为龙头，超芯星、思莱克工业科技等多家企业快速发展的格局。思莱克工业科技已实现8英寸衬底量产，产业正朝大尺寸、低缺陷、低成本方向突破，有望提升中国在全球半导体产业链中的竞争力。

碳化硅衬底与碳化硅外延片解析

碳化硅衬底为器件提供支撑并作为外延模板，但其本身存在晶体缺陷且电学参数不可调，无法满足高性能器件需求。而碳化硅外延片能够修复衬底缺陷、实现掺杂和厚度的灵活调控，是制造高性能碳化硅器件的必备环节。

8英寸碳化硅衬底与6英寸碳化硅衬底对比分析

目前6英寸碳化硅衬底是市场主流，技术成熟、产业链完善。8英寸碳化硅衬底面临晶体质量控制等挑战，初期成本高。但部分企业通过技术优化实现量产逐步替代 6 英寸成为主导，如超芯星、思莱克工业科技等。

什么是12英寸碳化硅衬底

12英寸碳化硅衬底技术实现新突破，单位芯片成本下降30%-40%，助力新能源汽车、光伏逆变器及充电设备实现效率提升与小型化。尽管面临高温晶体生长、缺陷控制及严苛加工等技术挑战，该技术仍为半导体制造带来革命性进展。

什么是低阻碳化硅衬底

低阻碳化硅衬底（8mΩ・cm）具备高效降耗、优异散热特性，提升新能源车、光伏逆变器效率。思莱克工业科技提供零TSD缺陷、低BPD的高品质衬底，助力高性能芯片制造。

什么是碳化硅晶圆

碳化硅晶圆是以碳化硅单晶为衬底，通过高温PVT法生长、切割、研磨、抛光及外延等复杂工艺制成，广泛应用于新能源、轨道交通、5G通信等领域的高端芯片制造。

什么是石墨坩埚

石墨坩埚耐热、导热和抗热震性优异，且对金属污染低。主要分为普通型、高纯等静压型和碳化硅复合型三类，其中高纯等静压石墨坩埚结构致密、各向同性，是光伏单晶拉制和半导体晶体生长等高端制造的关键材料。

什么是高比表氢氧化钙

思莱克高比表氢氧化钙生产线以高纯度石灰石为原料，经破碎、控温煅烧、精准消化、多级分级及表面改性等先进工艺制成具有超细颗粒、多孔隙、化学活性强的高比表氢氧化钙。生产线具备生产效率高、质量稳定、水耗低和污染排放少等优势。

什么是晶体生长炉

晶体生长炉是集成多领域先进技术、通过精密控制物理化学条件来人工合成高质量单晶的关键设备，广泛应用于微电子、光电子、医疗、光学及珠宝等领域。