什么是低阻碳化硅衬底

低阻碳化硅衬底的信息介绍

低阻碳化硅衬底是指电阻率显著低于常规碳化硅衬底的材料。电阻率越低，导电能力越强，电流传输效率越高，目前主流导电型碳化硅衬底的电阻率普遍处于15—30mΩ・cm之间，而低阻碳化硅衬底已实现8mΩ・cm。

低阻碳化硅衬底的特点优势

低阻碳化硅衬底具有高效降耗、散热优异、 开关响应、经济实惠等优势。

低阻碳化硅衬底的应用

低阻碳化硅衬底可提升新能源汽车电驱逆变器中的系统效率5–10%，有效延长续航里程，其在光伏逆变器中能够显著提高电能转换效率，增加发电输出。该材料也适用于5G通信基站对性能要求较高的场景，同时提升自动化设备的系统驱动性能。此外，低阻碳化硅衬底还可优化开关性能，全面提高能源利用效率。

思莱克低阻碳化硅衬底

思莱克工业科技专注于碳化硅衬底的研发与规模化生产。依托晶体生长、纯度控制与缺陷抑制等核心技术，公司成功推出电阻率低至 8mΩ・cm 的高品质衬底，且实现 “零 TSD 缺陷” 与 “极低 BPD 密度”，为高性能芯片制造奠定可靠基础。目前，其产品已广泛应用于新能源汽车、光伏发电、工业控制等领域，并与行业头部企业达成合作，市场占有率快速提升，正逐步成长为全球碳化硅材料领域的重要供应商。