| 信息介绍 | 特点优势 | 应用领域 |
按导电性能，碳化硅衬底分为导电型和半绝缘型。导电型碳化硅衬底电阻率低用于新能源汽车充电器、逆变器及光伏逆变器等功率器件制造。半绝缘型碳化硅衬底，电阻率高（一般高于105Ω⋅cm），是制造氮化镓射频器件的绝佳选择，用于航空航天、国防军工、通信系统等领域。
| 宽禁带特性 | 高临界击穿电场强度 | 高热导率 |
| 禁带宽度约 3.0 - 3.4 电子伏特，能在高温稳定工作，降低漏电流，提高效率与可靠性。 | 能承受高电压，高压环境下性能良好。 | 热导率是硅材料数倍，工作可快速散热，确保器件性能稳定。 |
通信领域
半绝缘型碳化硅衬底制造的氮化镓射频器件能提升 5G 基站传输速度与覆盖范围，还可保障北斗系统等卫星通信在恶劣环境下稳定工作。
航空航天领域
半绝缘型碳化硅衬底凭借耐高温、抗辐射特性，助力相控阵雷达提升探测能力、导弹实现精准制导。
电子设备领域
半绝缘型碳化硅衬底能增强服务器运算性能、降低能耗，也可优化手机等终端的信号处理能力。
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碳化硅衬底工艺