碳化硅单晶晶片-碳化硅晶体材料

碳化硅衬底

思莱克碳化硅衬底作为半导体核心材料，具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强及高电子迁移率等特性，其制备工艺包括高纯碳化硅粉合成、晶体生长、晶锭加工、晶圆切片、研磨、抛光、清洗等，在新能源、光伏、等领域发挥着关键作用。

碳化硅粉末

思莱克碳化硅粉末采用高纯原料（纯度>99.999%，5N级以上）精制而成，专为碳化硅衬底制备设计。通过机械粉碎法与化学气相沉积（CVD）工艺严格把控。适用于光伏新能源、半导体器件等领域。

碳化硅籽晶衬底

思莱克碳化硅籽晶衬底助力晶体生长与半导体器件性能突破，具有超高硬度、耐高温、宽带隙，化学稳定性等特性，可重复使用未抛光表面。作为石墨坩埚顶部关键模板，精准引导原子结晶，显著提升单晶质量与良率。

碳化硅晶锭

思莱克碳化硅晶锭是高性能半导体的关键材料，具有高禁带宽度、强击穿电场、高热导率、化学稳定等特性，其工艺采用PVT法在2000℃以上高温使碳化硅粉料升华，在籽晶上生长单晶，碳化硅晶棒再经X射线定向、金刚石切割、研磨等加工成晶圆切片。