碳化硅衬底知识问答-半导体技术解析

什么是碳化硅单晶

碳化硅（SiC）单晶，作为第三代半导体的核心材料，正以其革命性的性能推动着能源、交通、通信等关键领域的转型升级。其发展根植于半导体产业的演进历程。

什么是碳化硅晶片

碳化硅晶片是一种以碳化硅单晶制成的、具有宽禁带、高击穿场强、高导热和高频特性，主要通过物理气相传输等复杂工艺制备，广泛应用于新能源汽车和能源电力等高性能领域，但成本高于传统硅的第三代半导体关键基础材料。

12英寸碳化硅衬底有什么优势

12英寸碳化硅衬底是推动半导体产业升级的关键，它通过提升生产效率、显著降低芯片成本、优化器件性能，正在加速新能源汽车、光伏储能及工业能源等领域的变革与普及。

什么是高纯度P型碳化硅衬底

高纯度P型碳化硅衬底通过ppb级金属杂质控制，彻底解决传统衬底杂质难题，使IGBT导通损耗降低50%以上，为智能电网、新能源及电动汽车提供更高性能、更可靠的超高压功率器件基础材料。

什么是方形碳化硅散热晶片

思莱克工业科技的方形碳化硅散热晶片，以560W/mK超高导热率及契合芯片的方形结构，通过优化热流路径与空间利用率，为人工智能、汽车电子及能源管理等高端应用提供精准高效散热，助力突破设备性能瓶颈。

什么是半绝缘型碳化硅衬底

半绝缘型碳化硅衬底具有高电阻率（一般高于 105Ω⋅cm）、宽禁带、高临界击穿电场强度和高热导率的特点优势，可用于制造氮化镓射频器件，广泛应用于通信、航空航天及电子设备领域。

什么是导电型碳化硅衬底

思来克导电型碳化硅衬底具有低电阻、低损耗的特性，可提升电力转换效率，是高效功率器件的核心材料。它通过物理气相传输等工艺制备，主要应用于新能源汽车、光伏储能、工业驱动、轨道交通及智能电网等领域。

什么是12英寸碳化硅衬底

12英寸碳化硅衬底技术实现新突破，单位芯片成本下降30%-40%，助力新能源汽车、光伏逆变器及充电设备实现效率提升与小型化。尽管面临高温晶体生长、缺陷控制及严苛加工等技术挑战，该技术仍为半导体制造带来革命性进展。