碳化硅衬底知识问答-半导体技术解析

什么是半绝缘型碳化硅衬底

半绝缘型碳化硅衬底具有高电阻率（一般高于 105Ω⋅cm）、宽禁带、高临界击穿电场强度和高热导率的特点优势，可用于制造氮化镓射频器件，广泛应用于通信、航空航天及电子设备领域。

什么是导电型碳化硅衬底

思来克导电型碳化硅衬底具有低电阻、低损耗的特性，可提升电力转换效率，是高效功率器件的核心材料。它通过物理气相传输等工艺制备，主要应用于新能源汽车、光伏储能、工业驱动、轨道交通及智能电网等领域。

什么是12英寸碳化硅衬底

12英寸碳化硅衬底技术实现新突破，单位芯片成本下降30%-40%，助力新能源汽车、光伏逆变器及充电设备实现效率提升与小型化。尽管面临高温晶体生长、缺陷控制及严苛加工等技术挑战，该技术仍为半导体制造带来革命性进展。

什么是低阻碳化硅衬底

低阻碳化硅衬底（8mΩ・cm）具备高效降耗、优异散热特性，提升新能源车、光伏逆变器效率。思莱克工业科技提供零TSD缺陷、低BPD的高品质衬底，助力高性能芯片制造。

什么是碳化硅晶圆

碳化硅晶圆是以碳化硅单晶为衬底，通过高温PVT法生长、切割、研磨、抛光及外延等复杂工艺制成，广泛应用于新能源、轨道交通、5G通信等领域的高端芯片制造。

什么是石墨坩埚

石墨坩埚耐热、导热和抗热震性优异，且对金属污染低。主要分为普通型、高纯等静压型和碳化硅复合型三类，其中高纯等静压石墨坩埚结构致密、各向同性，是光伏单晶拉制和半导体晶体生长等高端制造的关键材料。

什么是高比表氢氧化钙

思莱克高比表氢氧化钙生产线以高纯度石灰石为原料，经破碎、控温煅烧、精准消化、多级分级及表面改性等先进工艺制成具有超细颗粒、多孔隙、化学活性强的高比表氢氧化钙。生产线具备生产效率高、质量稳定、水耗低和污染排放少等优势。

什么是晶体生长炉

晶体生长炉是集成多领域先进技术、通过精密控制物理化学条件来人工合成高质量单晶的关键设备，广泛应用于微电子、光电子、医疗、光学及珠宝等领域。