碳化硅衬底知识问答-半导体技术解析

什么是高纯度P型碳化硅衬底

高纯度P型碳化硅衬底通过ppb级金属杂质控制，彻底解决传统衬底杂质难题，使IGBT导通损耗降低50%以上，为智能电网、新能源及电动汽车提供更高性能、更可靠的超高压功率器件基础材料。

什么是方形碳化硅散热晶片

思莱克工业科技的方形碳化硅散热晶片，以560W/mK超高导热率及契合芯片的方形结构，通过优化热流路径与空间利用率，为人工智能、汽车电子及能源管理等高端应用提供精准高效散热，助力突破设备性能瓶颈。

什么是半绝缘型碳化硅衬底

半绝缘型碳化硅衬底具有高电阻率（一般高于 105Ω⋅cm）、宽禁带、高临界击穿电场强度和高热导率的特点优势，可用于制造氮化镓射频器件，广泛应用于通信、航空航天及电子设备领域。

什么是导电型碳化硅衬底

思来克导电型碳化硅衬底具有低电阻、低损耗的特性，可提升电力转换效率，是高效功率器件的核心材料。它通过物理气相传输等工艺制备，主要应用于新能源汽车、光伏储能、工业驱动、轨道交通及智能电网等领域。

什么是12英寸碳化硅衬底

12英寸碳化硅衬底技术实现新突破，单位芯片成本下降30%-40%，助力新能源汽车、光伏逆变器及充电设备实现效率提升与小型化。尽管面临高温晶体生长、缺陷控制及严苛加工等技术挑战，该技术仍为半导体制造带来革命性进展。

什么是低阻碳化硅衬底

低阻碳化硅衬底（8mΩ・cm）具备高效降耗、优异散热特性，提升新能源车、光伏逆变器效率。思莱克工业科技提供零TSD缺陷、低BPD的高品质衬底，助力高性能芯片制造。

什么是碳化硅晶圆

碳化硅晶圆是以碳化硅单晶为衬底，通过高温PVT法生长、切割、研磨、抛光及外延等复杂工艺制成，广泛应用于新能源、轨道交通、5G通信等领域的高端芯片制造。

什么是石墨坩埚

石墨坩埚耐热、导热和抗热震性优异，且对金属污染低。主要分为普通型、高纯等静压型和碳化硅复合型三类，其中高纯等静压石墨坩埚结构致密、各向同性，是光伏单晶拉制和半导体晶体生长等高端制造的关键材料。