碳化硅衬底知识问答-半导体技术解析

什么是12英寸碳化硅衬底

12英寸碳化硅衬底技术实现新突破，单位芯片成本下降30%-40%，助力新能源汽车、光伏逆变器及充电设备实现效率提升与小型化。尽管面临高温晶体生长、缺陷控制及严苛加工等技术挑战，该技术仍为半导体制造带来革命性进展。

什么是低阻碳化硅衬底

低阻碳化硅衬底（8mΩ・cm）具备高效降耗、优异散热特性，提升新能源车、光伏逆变器效率。思莱克工业科技提供零TSD缺陷、低BPD的高品质衬底，助力高性能芯片制造。

什么是碳化硅晶圆

碳化硅晶圆是以碳化硅单晶为衬底，通过高温PVT法生长、切割、研磨、抛光及外延等复杂工艺制成，广泛应用于新能源、轨道交通、5G通信等领域的高端芯片制造。

什么是石墨坩埚

石墨坩埚耐热、导热和抗热震性优异，且对金属污染低。主要分为普通型、高纯等静压型和碳化硅复合型三类，其中高纯等静压石墨坩埚结构致密、各向同性，是光伏单晶拉制和半导体晶体生长等高端制造的关键材料。

什么是高比表氢氧化钙

思莱克高比表氢氧化钙生产线以高纯度石灰石为原料，经破碎、控温煅烧、精准消化、多级分级及表面改性等先进工艺制成具有超细颗粒、多孔隙、化学活性强的高比表氢氧化钙。生产线具备生产效率高、质量稳定、水耗低和污染排放少等优势。

什么是晶体生长炉

晶体生长炉是集成多领域先进技术、通过精密控制物理化学条件来人工合成高质量单晶的关键设备，广泛应用于微电子、光电子、医疗、光学及珠宝等领域。

什么是碳化硅晶体生长

碳化硅晶体的主流生长方法是物理气相传输法，其过程与晶体质量受温度、压力、速度、原料纯度及籽晶质量等多因素共同制约，晶体生长炉是PVT法生长碳化硅晶体的核心设备。

什么是碳化硅-SiC

碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料，具有高硬度、高热导率、高禁带宽度及高击穿电场强度等特性，广泛应用于光伏新能源、5G通信、智能电网等领域，制备工艺复杂，却能显著提升高温、高压、高频等场景下半导体器件的性能与功效。