氧化铝陶瓷基板

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思莱克氧化铝陶瓷基板凭借高导热、低热膨胀、耐高温、高绝缘等优势，成为碳化硅半导体器件散热与绝缘的关键。在碳化硅工艺领域中发挥着重要作用。

信息介绍特点优势工艺应用案例展示

氧化铝陶瓷基板的信息介绍

碳化硅半导体器件在新能源汽车、电力电子和射频等领域应用广泛，但工作时发热量大、对绝缘耐压要求高。而氧化铝陶瓷基板具有高热导率、低热膨胀系数、高绝缘耐压等优点，成为解决散热和绝缘问题的关键，是确保碳化硅半导体器件性能和可靠性的重要因素。

高热导率	低热膨胀	耐高温	高绝缘性
导热系数（20-30 W/m·K）虽低于氮化铝（AlN），但成本更低，适用于中低功率器件。	匹配半导体材料，减少热应力，高机械强度，适合高速晶圆传输场景。	工作温度可达1000°C以上，稳定性优于金属或其他聚合物材料。	击穿电压高，适合高压应用，高电阻率（＞10¹⁴ Ω·cm）。

承载支撑	绝缘散热	绝缘部件	临时衬底
在碳化硅衬底外延生长或高温退火过程中，氧化铝陶瓷基板可作为承载托盘或支撑基座。	用于碳化硅功率器件的封装基板或多层布线基板。	作为碳化硅晶圆加工设备（如刻蚀、沉积设备）中的绝缘部件、喷砂喷嘴或保护衬里。	在碳化硅薄膜转移或异质集成工艺中，氧化铝可作为临时衬底，通过后续剥离实现器件转移。

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